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型号 IRFH3707TR2PBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
IRFH3707TR2PBF PDF
代理商 IRFH3707TR2PBF
产品目录绘图 IR Hexfet PQFN
标准包装 400
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 12.4 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.35V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 755pF @ 15V
功率 - 最大 2.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerVDFN
供应商设备封装 PQFN（3x3）单芯片焊盘
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IRFH3707TR2PBFTR
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